高性能场终止寿命控制FRD芯片工艺研究

• 作者: 刘建华 周卫平 郎金荣
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 快恢复二极管 载流子寿命控制 场终止 软度因子 半绝缘多晶硅
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 45-50
• 页数: 6页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 3824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.08.010

摘要

快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)是重要的功率器件,广泛应用于智能电网、新能源汽车、光伏和轨道牵引等重要场合,具有重要的战略意义和市场价值.为了突破FRD的关键技术瓶颈,本项目研究了高性能场终止寿命控制1 200 V等系列FRD芯片工艺技术.采用H+注入辐照局域寿命控制技术与电子辐照全局寿命控制技术,兼顾了提高软度因子和降低反向恢复时间两方面的关键性能要求.采用扩散片衬底引入场终止层结构极大地改善了快恢复二极管的软度因子,改善了正向导通压降Vf,提高了器件的高温耐压特性.测试结果表明,研制的1 200 V FRD器件正向导通电压为1.6～2.0 V,反向击穿电压为1 270～1 380V,反向恢复时间为100～ 200 ns,与国际同类高性能FRD器件性能相当.快速高可靠性FRD的成功研制,对我国突破高性能FRD在高端领域的制造工艺技术具有重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周卫平		5	10	2.0	3.0
2	刘建华		2	8	2.0	2.0
3	郎金荣		2	2	1.0	1.0