辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真

• 作者: 余学峰 孙静 崔江维 文林 郑齐文 郭旗 马腾 魏莹
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: TCAD仿真 深亚微米MOS器件 总剂量辐射效应 辐射陷阱电荷
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040605

摘要

利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18 μm N沟道MOS-FET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层(shallow trench isolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.