Zn掺杂InSb薄膜的电特性

• 作者: 吴勇 姜勇 李武哲 李英哲 汪庭文 韩明日
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: InSb薄膜 Zn掺杂 磁阻效应 区熔再结晶 电子迁移率
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1012-1018
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.2|TN305.3
• 字数: 3626字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY15110902

摘要

研究了Zn掺杂InSb蒸镀薄膜杂质浓度和热处理条件对其电性能的影响.InSb薄膜采用三温度法在云母基片上制备,利用蒸镀Zn扩散后进行区熔再结晶的方法掺杂Zn杂质.在进行区熔再结晶时为了防止InSb分解和Sb的蒸发,用磁控溅射方法在InSb薄膜上生长厚度为300 nm的SiO2.测试结果表明最好的热处理条件为Ar气氛温度200℃、熔融区的移动速度1×10-5 m·s-1和熔融区通过数3.Zn成为受主,室温下测量Zn掺杂浓度为1.47×1022 m-3的InSb薄膜的电子迁移率为5.65 m2·V-1·s-1.Zn的掺杂浓度大于1.47×1022 m-3时电子迁移率急剧减少,最大的霍尔常数为385 cm3·C-1.在1.5 T磁场下Zn掺杂浓度为3.16×1022 m-3时,InSb薄膜电阻率的相对变化达到最大值为3.63,是未掺杂薄膜的2.46倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜勇	北京科技大学材料科学与工程学院	32	119	7.0	9.0
2	吴勇	北京科技大学材料科学与工程学院	3	16	1.0	3.0
3	李英哲	北京科技大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
7	汪庭文	北京科技大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
8	李武哲	金策工业综合大学电子工程系	1	1	1.0	1.0
9	韩明日	金策工业综合大学电子工程系	1	1	1.0	1.0