逆导型IGBT的发展及其在智能电网中的应用

• 作者: 刘江 李晓平 温家良 王耀华 赵哿 金锐 高明超
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 逆导型绝缘栅双极型晶体管 发展 智能电网
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 述评
• 页码范围: 1-8
• 页数: 8页
• 分类号: TN32
• 字数: 2662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2017.01.001

摘要

介绍逆导型绝缘栅双极型晶体管(reverse conducting-insulated gate bipolar transistors,RC-IGBT)的结构与原理、技术发展历程及发展趋势.结合逆导型IGBT电流容量大、成本低、可靠性高等性能特点,分析了其在智能电网中的应用前景.RC-IGBT在低开关频率下具有很大优势,非常适合MMC应用.对于混合直流断路器的应用情况,RC-IGBT技术将使现有压接式模块的开断容量增加一倍.使用逆导型IGBT器件的电力电子装置系统设计更简单、散热装置更简化、装置体积也更小,因此,在智能电网迅速发展的今天,逆导型IGBT器件必将成为坚强智能电网建设的最佳选择.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金锐		12	76	3.0	8.0
2	李晓平		1	5	1.0	1.0
3	刘江		3	6	1.0	2.0
4	赵哿		4	18	2.0	4.0
5	高明超		3	6	1.0	2.0
6	王耀华		5	10	2.0	3.0
7	温家良		7	11	2.0	3.0