P波段1200W脉冲功率LDMOSFET研制

• 作者: 张晓帆 徐守利 李晓东 郎秀兰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: P波段 脉冲功率 LDMOSFET 巴伦 推挽 内匹配
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 75-79
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.06.015

摘要

基于自主开发的LDMOS工艺平台,研制了一款P波段大功率LDMOSFET器件,并设计了器件的外匹配电路.该器件工作电压50V,在工作脉宽lms、占空比10％的工作条件下,在380～480 MHz带宽内实现宽带输出功率大于1200 W,功率增益大于18dB,漏极效率大于50％,抗驻波能力大于5:1,表现出了良好的RF性能,实现了国产P波段LDMOS器件1200W的突破.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晓帆	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	6	1.0	2.0
2	郎秀兰	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	13	2.0	3.0
3	李晓东	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	6	1.0	2.0
4	徐守利	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	2	1.0	1.0