外力应变对Bi2Se3拓扑绝缘体能带调控的第一性原理研究

• 作者: 吴丽铃 张健敏 连如乾 阮毓荣 黄志高 黄雨馨
• 来源期刊: 福建师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 拓扑绝缘体 Bi2Se3 能带结构 外力应变
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 21-26
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.12046/j.issn.1000-5277.2017.04.005

摘要

采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,研究了拓扑绝缘体Bi2Se3在外力应变作用下的电子结构变化.首先对Bi2Se3块体结构在不同外力应变下进行了充分的原子弛豫,得到稳定的构型.主要通过改变初始结构的晶格常数的方法来构建沿层内施加外力应变的模型.接着通过能带、态密度(DOS)等分析手段研究不同外力应变下Bi2Se3的电子结构演化.研究结果表明:施加应变会使Bi2Se3的体能带发生偏移,偏移的幅度与应变大小相关,在压力应变逐渐加大的过程中Γ点附近的能带上移,并能够观察到M形的反转能带,而在拉应变增大的过程中Γ点附近的能带下移,且没有明显的能带反转现象,这些变化导致了Bi2Se3经历从半导体到导体的转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄志高		108	292	9.0	13.0
2	张健敏		5	28	1.0	5.0
3	连如乾		1	0	0.0	0.0
4	吴丽铃		1	0	0.0	0.0
5	黄雨馨		1	0	0.0	0.0
6	阮毓荣		1	0	0.0	0.0