基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
传统的隧穿晶体管由于自身结构的不对称性使其只有单向电流通路,造成了电路设计的诸多不便.以改善这一缺陷为目的,设计了一种新型的具有双向电流通路的高性能凹栅隧穿晶体管,并通过silvaco TCAD软件仿真的方法,对该新型晶体管的性能进行了验证.分析了器件的掺杂、尺寸等工艺参数对其能带及性能的影响机制.结果表明,该器件在0.5 V驱动电压下获得了5×106的开关比,最小亚阈值摆幅仅为12 mV/dec.总的来说,该器件在低驱动电压下具有较大的开关比以及非常陡峭的亚阈值曲线斜率,适用于超低功耗设计应用.
推荐文章
考虑可移动电荷的双栅隧穿场效应晶体管电流模型
隧穿场效应晶体管
可移动电荷
表面势
漏电流
解析模型
多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模
多晶硅薄膜晶体管
带间隧穿效应
泄漏区
一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管
隧穿
场效应晶体管
平均亚阈值斜率
隧穿势垒
石墨烯晶体管的栅长对跨导的影响
石墨烯晶体管
跨导
宽长比
硅MOS晶体管
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 可双向导通的凹栅隧穿晶体管
来源期刊 西安电子科技大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 带带隧穿 隧穿晶体管 凹栅 双向电流通路
年,卷(期) 2017,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 70-74,168
页数 6页 分类号 TN386.1
字数 1645字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2400.2017.06.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李伟 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 42 120 6.0 10.0
2 刘红侠 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 91 434 10.0 15.0
3 王树龙 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 4 5 2.0 2.0
4 陈树鹏 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 1 0 0.0 0.0
5 汪星 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 4 11 2.0 3.0
6 王倩琼 2 3 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (31)
共引文献  (1)
参考文献  (12)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1956(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1966(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2004(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2006(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2007(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
2008(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
2009(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2010(3)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(2)
2011(8)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(6)
2012(7)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(7)
2013(2)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(1)
2014(5)
  • 参考文献(4)
  • 二级参考文献(1)
2015(4)
  • 参考文献(3)
  • 二级参考文献(1)
2016(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2017(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
带带隧穿
隧穿晶体管
凹栅
双向电流通路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安电子科技大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-2400
61-1076/TN
西安市太白南路2号349信箱
chi
出版文献量(篇)
4652
总下载数(次)
5
总被引数(次)
38780
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导