基于SiGe BiCMOS工艺的射频ESD电路设计

• 作者: 吴舒桐 张甘英
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 射频集成电路 静电放电 SiGe BiCMOS工艺
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN407
• 字数: 934字
• 语种: 中文

摘要

随着射频电路工作频率的不断升高,ESD已经成为了影响电路可靠性和射频电路性能的重要因素.针对高速射频电路,设计了高速I/O口ESD防护电路和电源到地的箝位电路,并采用斜边叉指型二极管进行版图和性能优化.采用Jazz 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺对该ESD防护电路进行设计和流片.经过测试得到,ESD保护电压最高可达到3000V.更改二极管叉指数取得更高的ESD防护级别,改进后保护电压最高可达到4500 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张甘英	中国电子科技集团公司第五十八研究所	10	11	2.0	2.0
2	吴舒桐	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	0	0.0	0.0