改性离子注入高阻SOI衬底的共面波导特性研究

• 作者: 常永伟 程实 费璐 魏星
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 高阻SOI 共面波导传输线 射频损耗 表面寄生电导效应 硅离子注入 TR-SOI
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 70-74
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.06.014

摘要

因良好的射频性能,高阻SOI (High-Resistivity Silicon-on-Insulator,HR-SOI)被广泛应用于射频集成电路(RFICs).通过提取共面波导传输线(Co-Plane Waveguide,CPW)的射频损耗来表征衬底材料的射频性能.高阻SOI衬底由于表面寄生电导效应(Parasitic Surface Conductance,PSC),射频性能恶化.设计并制备了一种新型的改性结构来优化高阻SOI的射频性能,通过将硅离子注入到绝缘埋层中来消除表面寄生电导效应.在0～8 GHz范围内,传输线损耗优于时下业界最先进的TR-SOI的结果(Trap-Rich Layer Silicon-on-Insulator).由于工艺简单,易于集成化,是极具潜力的射频SOI材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏星	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	8	1	1.0	1.0
5	常永伟	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
9	程实	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0