1MeV电子辐照对InGaAsP/InGaAs双结电池电学参数的影响

• 作者: 周东 李豫东 玛丽娅·黑尼 艾尔肯·阿不都瓦衣提 莫敏·赛来 赵晓凡 郭旗
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAsP/InGaAs子电池 转换效率 量子效率 电子辐照 位移损伤
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 32-36
• 页数: 5页
• 分类号: TN29
• 字数: 1865字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.040603

摘要

为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1 MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明:随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.