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摘要:
本文对近年来真空电子器件研究中出现的一些新概念、新设想进行了介绍和评述.随着毫米波(mmW)和太赫兹(THz)频域的进一步开拓,对工作在这些频域真空电子器件的频率、功率、带宽、效率和微制造提出了更高的要求.带状电子注和多电子注是提高器件功率的重要途径;光子带隙技术和真空电子器件的结合为新型器件的发展提供了新的方法;陶瓷行波管的研制给我们带来全新的概念,特别是纳米真空三极管和光三极管概念的提出,为真空电子器件回归数字电路技术展示出令人鼓舞的前景.
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真空电子器件的新机理研究
毫米波
太赫兹波
真空电子
光子带隙
行波管
纳米真空三极管
GaN微电子器件的研究进展
GaN
GaN材科
GaN器件
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 真空电子器件的新机理研究
来源期刊 真空电子技术 学科 工学
关键词 毫米波 太赫兹波 真空电子 光子带隙 行波管 纳米真空三极管
年,卷(期) 2017,(5) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 1-8,50
页数 9页 分类号 TN12
字数 6823字 语种 中文
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 廖复疆 28 271 10.0 16.0
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研究主题发展历程
节点文献
毫米波
太赫兹波
真空电子
光子带隙
行波管
纳米真空三极管
研究起点
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期刊影响力
真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
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