电化学研究在锗的化学机械抛光上的应用

• 作者: 周朝旭 张保国 潘柏臣
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: Ge 电化学 腐蚀性 化学机械抛光 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1137-1142
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY16070031

摘要

通过电化学工作站对p型2英寸(1英寸=2.54 cm)Ge晶圆进行了研究,结合Alpsitec E460抛光机、原子力显微镜(AFM)验证电化学研究对于Ge的化学机械抛光的理论指导意义.结果表明:NaOH作为pH调节剂对Ge具备着比KOH,NH3·H2 O作为pH调节剂更强的腐蚀性;在H2 O2浓度一定的条件下,Ge的腐蚀性随着电解液中pH值的增加而增加;在pH相同的条件下,NaClO对Ge的腐蚀性要高于H2 O2对Ge的腐蚀性.使用Alpsitec E460机台对电化学测试结果进行验证比较,经过条件优化,在5%(质量分数)的SiO2磨料,1%(原子分数)的H2O2,pH=9条件下对Ge晶圆进行化学机械抛光得到Ge的抛光速率为299.87 nm·min-1,通过AFM观测抛光120 s后Ge晶圆表面粗糙度RMS=1.86 nm(10μm×10μm),线粗糙度Ra可达0.137 nm.说明了Ge的电化学测试可以有效为实际的CMP研究提供可靠的理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张保国	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	5	18	2.0	4.0
2	潘柏臣	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	2	1	1.0	1.0
3	周朝旭	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	2	1	1.0	1.0