Al掺杂半导体Mg2Si薄膜的制备及光学带隙研究

• 作者: 吴宏仙 廖杨芳 房迪 杨云良 王善兰 肖清泉 谢泉
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 Mg2Si薄膜 Al掺杂 光学带隙 显微
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 635-640
• 页数: 6页
• 分类号: TB303
• 字数: 3216字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2017.05.019

摘要

用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Al掺杂Mg2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响,XRD结果表明随着Al掺杂量的增加, Mg2Si衍射峰先增强后减弱. SEM及AFM的结果表明随掺杂量的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,粗糙度先增加后降低.得到掺杂后薄膜间接跃迁带隙范围为0.423～0.495 eV,直接跃迁带隙范围为0.72～0.748 eV,掺杂前薄膜间接跃迁带隙和直接跃迁带隙分别为0.53 eV、0.833 eV.