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不同碳源和反应温度对原位合成SiC-TiC超细粉末的影响
不同碳源和反应温度对原位合成SiC-TiC超细粉末的影响
作者:
彭秧锡
彭红霞
田修营
胡传跃
胡继林
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
碳源
SiC
TiC
超细粉末
碳热还原法
原位合成
摘要:
以碳化硅(SiC)、二氧化钛(TiO2)和不同种类碳源为初始原料,采用碳热还原法在氩气气氛下原位合成SiC-TiC超细粉末.探讨了不同碳源和不同反应温度对所合成的SiC-TiC超细粉末的物相组成和显微形貌的影响.采用X-射线衍射仪(XRD)、激光粒度分析仪、扫描电镜(SEM)等手段对所合成的SiC-TiC超细粉末进行表征.实验结果表明,以蔗糖为碳源合成SiC-TiC超细粉末的适宜条件为1450 ℃保温2 h;以炭黑或葡萄糖为碳源合成超细粉末的适宜条件为1500 ℃保温2 h.三种碳源中以炭黑为碳源时所合成的SiC-TiC超细粉末粒度最小且合成出的粉末样品分散性好,大部分球状颗粒在0.5~1.0 μm 左右.在SiC粉末中原位合成的TiC颗粒,以粒径在0.1~0.2 μm左右的不规则的多样化结构颗粒存在.
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篇名
不同碳源和反应温度对原位合成SiC-TiC超细粉末的影响
来源期刊
人工晶体学报
学科
工学
关键词
碳源
SiC
TiC
超细粉末
碳热还原法
原位合成
年,卷(期)
2017,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
641-645
页数
5页
分类号
TQ174
字数
4208字
语种
中文
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人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
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16
总被引数(次)
38029
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