基于RTD和HEMT的D触发器设计

• 作者: 冯杰 姚茂群
• 来源期刊: 浙江大学学报（理学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 单双稳态转换逻辑单元 D触发器
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 电子科学
• 页码范围: 718-723
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 2574字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-9497.2017.06.011

摘要

共振隧穿二极管(RTD)作为一种新的量子器件和纳米电子器件,具有负内阻、电路功耗低、工作频率高、双稳态和自锁等特性,可突破CM OS工艺尺寸的物理极限,在数字集成电路领域有更为广阔的发展空间.针对RTD的特性,采用3个RTD串联的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)和类SR锁存器,设计了基于RTD和H EM T(高电子迁移率晶体管)的D触发器.较于其他研究的D触发器,该D触发器能有效降低电路的器件数量和复杂度,且能抗S、R信号的延时差异干扰,具有更稳健的输出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚茂群	杭州师范大学国际服务工程学院	47	150	7.0	9.0
2	冯杰	杭州师范大学国际服务工程学院	4	0	0.0	0.0