气相Val分子与带电离子低激发态特性的理论研究

• 作者: 陈洪斌 鲍捷
• 来源期刊: 内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）
• 学科: 化学
• 关键词: Val分子 负离子 低激发态 轨道跃迁
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 物理科学与技术
• 页码范围: 506-509
• 页数: 4页
• 分类号: O641.1|O561.4|O562.4
• 字数: 2712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8735.2017.04.010

摘要

采用密度泛函B3LYP方法,所有C、O、N、H原子在6-311+G(2df)基组水平上,优化气相Val中性分子和带电离子基态稳定几何构型.在6-311++G(d,p)基组水平上,采用TD-DFT方法,研究气相Val中性分子、离子低激发态的特性.结果表明:随着分子获得电子数目的增加,体系能量逐渐增加;S1激发态能量与基态能量差值 ΔE减小;分子荧光波长急剧增加;S2激发态电子跃迁轨道数没有改变.