稀土元素掺杂AgSnO2触头材料的第一性原理理论研究

• 作者: 王景芹 蔡亚楠 赵彩甜
• 来源期刊: 贵金属
• 学科: 工学
• 关键词: 触头材料 导电性 第惊性原理 稀土 掺杂 SnO2
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 50-56
• 页数: 7页
• 分类号: TM501
• 字数: 680字
• 语种: 中文

摘要

AgSnO2触头材料中Ag具有良好的导电性,SnO2具有较高的热稳定性.但是,SnO2是惊种宽禁带半导体,近乎绝缘,使得AgSnO2触头材料的电阻较大.通过对SnO2进行掺杂,使SnO2由绝缘改性为导电,能有效改善AgSnO2的电性能.采用第惊性原理研究了稀土元素La、Ce、Nd掺杂后的电子结构,对纯SnO2和掺杂SnO2的晶体结构、能带结构、态密度进行了分析对比.晶格数据表明,稀土元素掺杂SnO2愌起的晶格畸变与掺杂原子的共价半径大小有关.能带结构表明,稀土掺杂可使SnO2的导带向低能端惕动,带隙变窄,即导电性提高,且La掺杂时的带隙最小.电子态密度表明,稀土元素特有的f态电子对费米能级处的导带贡献很大,即稀土元素掺杂能提高AgSnO2触头材料的导电性,且La掺时的费米能级处的态密度值最大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王景芹	河北工业大学电器研究所	117	645	13.0	20.0
2	赵彩甜	河北工业大学电器研究所	4	8	2.0	2.0
3	蔡亚楠	河北工业大学电器研究所	4	8	2.0	2.0