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摘要:
在半导体制造光刻工艺中,OVL(Overlay,层对准)是测量前层与本层之间曝光准确度的参数[1].现阶段对于OVL的管控,一般根据工程师经验判断设定管控上下限,并没有合理地运用统计方法进行管控.这项研究的目的就是为了寻找合理的统计方法对OVL的管控上下限进行科学有效的设置,从而实现对OVL参数的科学管控.基于长期以来对于OVL数据的特性分析可知,这些数据并不符合最常见的正态分布,因此用3 Sigma作为管控上下限的方法并不适合对于OVL的管控.建议可以利用T分布及卡方分布对OVL进行管控,使用这种新的管控方法设置上下限,得到了合理的OCAP ratio,从而实现对OVL更有效的管控.
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文献信息
篇名 Overlay chart管控方法的研究
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 Overlay (OVL) T分布 卡方分布
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 40-44
页数 5页 分类号 TN306
字数 2009字 语种 中文
DOI
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作者信息
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1 姜颖洁 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
Overlay (OVL)
T分布
卡方分布
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
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24
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9543
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