作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
通过相同材料电阻的比值来抵消带隙基准源的一阶温度系数来达到低温度系数,同时还设计了修调电路进一步提高基准电压的精度.采用0.8μm BiCMOS 9V工艺流片,带隙基准源面积为0.035 mm2.结果表明:在-40℃~125℃范围内,基准电压的温度系数为11×10-6/℃;电源电压在4.5 V~9.0 V范围内变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.09 mV/V.
推荐文章
一种高精度低温漂带隙基准源的设计
基准电压源
自偏置
曲率补偿
温度系数
一种高精度的CMOS带隙基准源
带隙基准
温度补偿
温度系数
电源抑制
失调电压
一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计
带隙电压基准源
电源抑制比
温度补偿
共源共栅电流镜
一种改进的高精度BiCMOS带隙基准源的设计
带隙基准
BiCMOS
商精度
温度系数
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 一种高精度低温度系数带隙基准源
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 温度系数 修调电路 带隙基准 电源调整率
年,卷(期) 2017,(5) 所属期刊栏目 固态电子器件及材料
研究方向 页码范围 1065-1067
页数 3页 分类号 TN432
字数 1734字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.05.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王文建 浙江商业职业技术学院应用工程学院 3 10 2.0 3.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (70)
共引文献  (34)
参考文献  (12)
节点文献
引证文献  (4)
同被引文献  (6)
二级引证文献  (2)
1974(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1979(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1983(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
1993(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1994(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
1996(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1998(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2001(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2002(4)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(4)
2003(5)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(5)
2004(4)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(4)
2005(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(3)
2006(7)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(7)
2007(7)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(7)
2008(4)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(4)
2009(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2010(5)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(5)
2011(9)
  • 参考文献(6)
  • 二级参考文献(3)
2012(9)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(8)
2013(6)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(5)
2014(4)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(2)
2015(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2017(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2018(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2019(4)
  • 引证文献(3)
  • 二级引证文献(1)
2020(1)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
温度系数
修调电路
带隙基准
电源调整率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导