PbI2掺杂对CH3NH3PbI3光电性能的影响

• 作者: 余艳梅 杨峰 袁玲 赵勇 陈骏荣 马文利
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 化学
• 关键词: CH3NH3PbI3 PbI2掺杂 表面光电压谱 相位谱 光伏反转
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 834-838
• 页数: 5页
• 分类号: O649
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.06.015

摘要

采用溶液生成法制备了有机铅卤化钙钛矿(CH3 NH3PbI3)晶体粉末,并以过量的PbI2对其进行掺杂,采用X射线衍射谱(XRD)技术研究了掺杂前后样品的晶体结构变化.表面光电压谱(SPS)和相位谱(PS)显示掺杂前后的CH3 NH3 PbI3均为p型半导体,但后者有更强的光伏响应.场诱导表面光电压谱(FISPS)表明:当加正电场时,掺杂前后的CH3NH3PbI3均表现为p型半导体的载流子特性,当加负偏压时掺杂后的CH3NH3PbI3易形成反型层,出现光伏反转,且外加负偏压越大,光伏反转区域越大,表现出双极导电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨峰	西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	20	78	5.0	7.0
2	陈骏荣	西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
3	马文利	西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	袁玲	西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
5	余艳梅	西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0