驱动回路参数对碳化硅MOSFET开关瞬态过程的影响

• 作者: 朱义诚 王旭东 赵争鸣 陈凯楠
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅MOSFET 脉冲 杂散参数 开关特性
• 年，卷（期）: 2017,（13）
• 所属期刊栏目: 大容量电力电子混杂系统多时间尺度动力学表征与运行机制专题
• 页码范围: 23-30
• 页数: 8页
• 分类号: TM131.2
• 字数: 4567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.170389

摘要

在电力电子系统中,碳化硅(SiC)MOSFET的开关特性易受系统杂散参数的影响,表现为电磁能量脉冲形态属性的非理想特性,并进一步影响系统效率和可靠性.针对SiC MOSFET,首先分析控制脉冲、驱动脉冲及电磁能量脉冲三者间形态属性的关系,提取影响SiC MOSFET开关瞬态过程的关键参数,即开关过程中的dv/dt和di/dt.基于SiC MOSFET的开关过程,分析驱动回路参数对dv/dt和di/dt的影响,并通过PSpice仿真及搭建SiC MOSFET双脉冲测试实验平台进行分析和比较.在此基础上,对基于驱动回路参数的瞬态控制方法进行对比分析,为实际应用中对SiC MOSFET的开关特性改善提供重要的理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵争鸣	清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室	136	3162	31.0	53.0
2	陈凯楠	清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
3	王旭东	清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室	14	22	2.0	4.0
4	朱义诚	清华大学电机系电力系统及发电设备安全控制和仿真国家重点实验室	8	0	0.0	0.0