基于红外测温的GaN HEMT器件结构函数法热阻测量

• 作者: 乔玉娥 刘霞美 吴爱华 梁法国 翟玉卫 郑世棋
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 热阻测量 结构函数 红外测温 热阻 GaNHEMT 降温曲线
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1060-1064
• 页数: 5页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2307字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2017.05.002

摘要

为了准确的测量GaN HEMT的热阻参数,在两种不同的管壳接触热阻条件下,利用经过改进的显微红外热像仪测量了GaN HEMT的降温曲线.采用结构函数算法对两种降温曲线进行分析,得到了反映器件各层材料热阻的积分结构函数曲线.当管壳接触层由空气变化为导热硅脂时,积分结构函数曲线发生了变化.通过结构函数曲线能够明确区分被测件不同层的热阻.可以将被测件的分成7层结构,与器件真实结构基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔玉娥	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	27	3.0	4.0
2	梁法国	中国电子科技集团公司第十三研究所	54	104	5.0	7.0
3	郑世棋	中国电子科技集团公司第十三研究所	26	25	3.0	3.0
4	吴爱华	中国电子科技集团公司第十三研究所	40	63	4.0	6.0
5	翟玉卫	中国电子科技集团公司第十三研究所	32	64	4.0	6.0
6	刘霞美	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	15	3.0	3.0