用太阳能级多晶硅切割废料制备Si3N4-SiC复合材料

• 作者: 孔剑 王敬强 赵静 邢鹏飞 都兴红 金星 高波
• 来源期刊: 耐火材料
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能级多晶硅 切割废料 氮化硅结合碳化硅材料 显微结构 性能
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 资源综合利用
• 页码范围: 390-393
• 页数: 4页
• 分类号: TQ175
• 字数: 2429字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1935.2017.05.016

摘要

为了综合利用多晶硅切割废浆料并提高产品的附加值,在提纯后的太阳能级多晶硅切割废料中加入粒度≤0.001 7 mm(1 500目)的硅粉,配制成单质Si含量(w)分别为12.51％、15.00％、20.00％、25.00％、30.00％、35.00％和40.00％的7种混合粉料,经成型、干燥后,在不同温度(分别为1 300、1 340、1 380、1 420和1 460℃)下氮化不同时间(分别为0.5、1.0、1.5、2.0、2.5和3.0h)制备了氮化硅结合碳化硅(Si3N4-SiC)试样,然后检测试样的体积密度、显气孔率、常温耐压强度和常温抗折强度,并进行了SEM分析.结果表明:氮化温度过高及氮化时间过长均会促进α-Si3N4向β-Si3N4转变,并降低氮化后试样的致密度和强度.本试验中,较优的制备条件为:氮化温度1 380 ℃,氮化时间2h,单质Si含量15.00％(w).在较优的制备条件下制得的Si3N4-SiC试样,其常温抗折强度为15.1 MPa,常温耐压强度为126 MPa,体积密度为1.99 g·cm-3,显气孔率为38.1％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高波	东北大学冶金学院	32	279	9.0	15.0
2	赵静	东北大学冶金学院	12	52	4.0	7.0
3	邢鹏飞	东北大学冶金学院	60	156	6.0	11.0
4	都兴红	东北大学冶金学院	55	216	8.0	13.0
5	王敬强	东北大学冶金学院	5	13	2.0	3.0
6	金星	东北大学冶金学院	10	9	1.0	3.0
7	孔剑	东北大学冶金学院	8	8	1.0	2.0