一种使沟槽侧角圆滑的新颖STI工艺

• 作者: 吴建伟 徐海铭 陈海波 顾祥
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: STI Nitride pull back 凹槽(divot) 反窄沟道效应
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 675字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种使沟槽侧角圆滑的STI工艺技术,该技术在沟槽腐蚀完,通过湿法工艺去除部分氮化硅(Nitride Pull back),再正常生长线性氧化层,使槽的侧角更加圆润光滑,同时减小了沟槽Divot深度.该工艺避免了附加高温热过程所导致的缺陷扩散和膜应力增大问题,现已成功应用于0.13 μm逻辑工艺.采用该工艺完成的器件,反窄沟道效应明显减弱,窄沟器件的漏电有效降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐海铭		11	14	2.0	3.0
2	顾祥		9	10	2.0	2.0
3	陈海波		6	13	3.0	3.0
4	吴建伟		25	39	4.0	4.0