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摘要:
I-V曲线是最基本也是最重要的表征太阳能电池性能的方法.而在有机小分子器件中,各个界面的物理过程发挥至关重要的作用.因此,着重研究界面物理过程对于I-V曲线的影响.在实验中证实了S形I-V曲线来自于ITO/有机界面的衰减,并且提出了一个改良的器件等效电路模型.进一步地,在ITO/有机界面处插入MoOx层会显著地抑制界面势垒的产生,避免了S形I-V曲线的出现,从而极大地延长了器件的寿命.还发现给体材料CuPc与受体材料C60中激子产生的光电流对负向偏压的响应完全不同,通过实验提出了在C60层中三态激子-电子相互作用是导致这个现象的主要物理机制.
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文献信息
篇名 有机太阳能电池简介
来源期刊 光学与光电技术 学科 工学
关键词 有机太阳能电池 激子 界面修饰 衰减 I-V曲线
年,卷(期) 2017,(6) 所属期刊栏目 武汉光电论坛
研究方向 页码范围 1-4
页数 4页 分类号 TM914.4
字数 4801字 语种 中文
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 侯晓远 复旦大学物理学系 14 86 4.0 9.0
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研究主题发展历程
节点文献
有机太阳能电池
激子
界面修饰
衰减
I-V曲线
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学与光电技术
双月刊
1672-3392
42-1696/O3
大16开
武汉市阳光大道717号
38-335
2003
chi
出版文献量(篇)
2142
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3
总被引数(次)
9791
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