基于原子层沉积的氧化锆薄膜工艺优化研究

• 作者: 张浩 张禹 韦习成
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 原子层沉积 ZrO2薄膜 工艺优化
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 594-598
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 字数: 1715字
• 语种: 中文

摘要

利用原子层沉积技术(Atomic layer deposition, ALD)进行ZrO2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO2薄膜ALD的最佳工艺条件.分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜性能的影响.以四(二甲基氨)基锆(TDMAZ)和H2O为前驱体,制备了均匀性良好,表面粗糙度低,可见光透过率高,水汽阻挡效果良好的ZrO2薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韦习成	上海大学材料科学与工程学院	84	649	15.0	21.0
2	张禹	上海大学材料科学与工程学院	18	15	3.0	3.0
11	张浩	福建江夏学院电子信息科学学院	3	4	1.0	2.0