三电平IGBT变频器损耗分析及计算

• 作者: 张东辉 忻力 朱武 李彦涌
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 三电平变频器 散热 损耗计算 结温保护
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 83-87
• 页数: 5页
• 分类号: TM46|TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2017.05.015

摘要

文章以三电平应用为例,对IGBT器件工作过程中损耗的构成和影响因素进行分析,建立了一个适用于各种控制方式的三电平IGBT变频器损耗计算模型,其以软件仿真数据或试验数据作为输入来计算三电平拓扑中每个功率器件的损耗功率,计算值和测量值的误差在2％以内.利用该模型还可对前期产品设计进行仿真分析,精确计算系统损耗,并且根据器件损耗测试核对仿真的精确性,进而配置与之匹配的冷却系统,确保IGBT器件工作结温不超过器件要求值,并避免冷却系统的过度设计.对于不同功率器件搭建的系统,均可以参考和借鉴该方法进行系统损耗的精确计算.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李彦涌		10	0	0.0	0.0
2	忻力		4	0	0.0	0.0
3	朱武		2	0	0.0	0.0
4	张东辉		1	0	0.0	0.0