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摘要:
在对传统带隙基准电压源进行理论分析的基础上,结合当前IC设计中对基准电压源低温漂、高电源抑制比的要求,设计了一种超低温漂的带隙基准电压源电路.该电路带有启动电路和高阶温度补偿电路.仿真结果表明,在-55~125℃的温度范围内获得了1.65×10-6/℃的温漂系数,低频时的电源抑制比达到-62 dB.
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CMOS
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高电源抑制比
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带隙基准源
曲率校正
温度系数
电源抑制比
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 超低温漂带隙基准电压源设计
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 高阶温度补偿 低温漂系数 高电源抑制比
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 电路设计
研究方向 页码范围 22-25
页数 4页 分类号 TN431
字数 1946字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陆锋 江南大学物联网工程学院 19 27 3.0 4.0
3 葛兴杰 江南大学物联网工程学院 2 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
高阶温度补偿
低温漂系数
高电源抑制比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
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9543
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