硼掺杂球磨SiGe合金的热电性能

• 作者: 何旭昭 徐璟 朱铁军 赵新兵
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热电材料 SiGe合金 硼掺杂 晶粒优化
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 173-176,186
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 字数: 2762字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.001

摘要

SiGe合金热电材料作为一种传统的高温热电材料一直以来受到广泛关注.本研究通过B在球磨SiGe合金中的P型掺杂,有效增加了材料的载流子浓度,优化材料的电学性能.通过球磨降低材料的晶粒尺寸,增强晶界对声子的散射,降低材料的晶格热导率.另外,B掺杂使点缺陷散射和载流子-声子散射得到增强,材料的晶格热导率进一步降低.在室温时,Si0.Ge0.2B0.04的晶格热导率为～4Wm-1K-1.由于掺杂后电导率提高,热导率降低,因此热电优值zT得到了提高.在850K时,Si0.Ge0.2B0.04的最大热电优值为0.42,与Si0.Ge0.2B0.002的样品相比,其优值提高了2.5倍左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵新兵	浙江大学材料科学与工程学院	127	1559	21.0	33.0
2	朱铁军	浙江大学材料科学与工程学院	39	453	12.0	20.0
3	何旭昭	浙江大学材料科学与工程学院	7	19	3.0	4.0
4	徐璟	浙江大学材料科学与工程学院	2	8	1.0	2.0