基于PVP和PbSe三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件

• 作者: 张振 滕枫 钱磊 韩长峰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电双稳器件 PVP PbSe三维自组装超晶格 载流子输运和记忆机理
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 207-212
• 页数: 6页
• 分类号: O472.4|O469
• 字数: 1245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173802.0207

摘要

采用旋涂工艺将PbSe三维自组装超晶格镶嵌在两层聚合物PVP中,制备了基于PVP和PbSe三维自组装超品格复合体系的电双稳器件,器件结构为ITO/PVP/PbSe三维自组装超晶格/PVP/A1,研究了其电学性能和记忆效应.与参比器件ITO/PVP/A1相比,器件ITO/PVP/PbSe三维自组装超晶格/PVP/A1的电流-电压特性呈现出非常明显的电双稳特性和非易失记忆行为,在相同的电压下同时具有两种不同的导电状态:低电导的关态和高电导的开态.当PVP与PbSe超晶格的质量比为1∶1时,器件性能最好,其最大电流开关比为7×104,经过104 s仍几乎无衰减.通过对电流-电压曲线拟合,利用不同的导电模型对器件的载流子传输机制进行了解释.结果表明,PbSe三维自组装超晶格作为电荷陷阱,可以俘获、储存及释放电荷,对器件的电双稳性能能起决定性作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	滕枫	北京交通大学发光与光信息教育部重点实验室	33	145	6.0	10.0
2	张振	北京交通大学发光与光信息教育部重点实验室	3	18	1.0	3.0
3	钱磊		1	0	0.0	0.0
4	韩长峰	北京交通大学发光与光信息教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0