掺杂不同质量分数Y2O3、MgO对Al2O3陶瓷显微结构及介电性能的影响

• 作者: 洪逍 秦恬 章林 贾成厂
• 来源期刊: 粉末冶金技术
• 学科: 工学
• 关键词: Al2O3陶瓷 掺杂 放电等离子烧结 显微结构 介电性能
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 255-262
• 页数: 8页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 3396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19591/j.cnki.cn11-1974/tf.2017.04.003

摘要

利用放电等离子烧结技术制备了不同质量分数Y2O3单独掺杂及不同质量分数Y2O3、MgO共同掺杂的Al2O3陶瓷,研究了烧结助剂掺杂质量分数对Al2O3陶瓷显微结构及介电性能的影响.结果表明,孔隙率是影响Al2O3陶瓷介电性能的主要因素;单独掺杂质量分数为0.25%Y2O3时,Al2O3陶瓷得到最优的介电性能,介电常数(εr)为9.5±0.2,介质损耗(tanδ)稳定在10-3数量级以内;同时掺杂Y2O3和MgO能进一步改善其介电性能,当两者质量分数均为0.25%时,得到最优值,介电常数(εr)为10.3±0.2,介质损耗(tanδ)稳定在8×10-4以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾成厂	北京科技大学新材料技术研究院	227	1841	21.0	26.0
2	章林	北京科技大学新材料技术研究院	23	173	7.0	12.0
3	秦恬	北京科技大学材料科学与工程学院	4	8	2.0	2.0
4	洪逍	北京科技大学新材料技术研究院	2	6	2.0	2.0