沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu2ZnSnSe4薄膜电池的影响

• 作者: 刘晓茹 刘玮 刘芳芳 周志强 孙云 张毅 敖建平 李建军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 无镉缓冲层 化学水浴法 Zn(O,S) CZTSe薄膜电池 沉积时间
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 页码范围: 578-583
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3388字
• 语种: 中文

摘要

无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响.通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态.通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%).通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒.将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周志强	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	116	369	10.0	16.0
2	孙云	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	33	390	11.0	19.0
3	刘芳芳	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	19	224	7.0	14.0
4	刘玮	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	13	10	2.0	3.0
5	敖建平	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	11	98	7.0	9.0
6	刘晓茹	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	1	0	0.0	0.0
7	李建军	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	3	14	2.0	3.0
8	张毅		1	0	0.0	0.0