一种低参考杂散高PSNR的Ⅰ型锁相环

• 作者: 叶棪 席娜 张吉利 林福江
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅰ型锁相环 参考杂散 电源噪声 CMOS集成电路
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 666-669
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于GF 130 nm CMOS工艺,设计了一种低参考杂散、高电源噪声抑制比(PSNR)的Ⅰ型锁相环.相较于电荷泵型锁相环,Ⅰ型锁相环存在锁定范围小、参考杂散性能差等缺点.此外,压控振荡器是对电源噪声敏感的模拟电路,电源线上的噪声会恶化振荡器的输出抖动性能.通过引入采样保持电路和电源电压整形器,降低了Ⅰ型锁相环的参考杂散和电源噪声敏感系数.仿真结果表明,设计的Ⅰ型锁相环的工作频率范围为2.1～2.8 GHz,参考杂散为一66 dBc,PSNR为-25 dB,功耗为10 mW,芯片占用面积为0.009 mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林福江	中国科学技术大学微纳电子系统集成研究中心	44	42	3.0	4.0
2	席娜	中国科学技术大学微纳电子系统集成研究中心	1	1	1.0	1.0
3	张吉利	中国科学技术大学微纳电子系统集成研究中心	3	7	1.0	2.0
4	叶棪	中国科学技术大学微纳电子系统集成研究中心	2	1	1.0	1.0