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一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术
一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术
作者:
吴龙胜
曹天骄
李海松
韩本光
原文服务方:
微电子学与计算机
延迟锁相环
电荷泵
SET加固
锁定检测结构
摘要:
针对延迟锁相环的结构和对单粒子效应敏感性的分析,提出了一种具有锁定检测结构的新型抗SET加固DLL结构,该结构能在满足原有DLL性能指标的前提下实现对SET效应的加固,保证DLL正交四相时钟的正确输出.基于65 nm CMOS工艺进行电路设计仿真,结果显示在500 MHz工作频率下,此DLL功能正确,抗SET性能良好,SET阈值达到100 MeV·cm2/mg,在空间辐射环境中具有很好的稳定性.
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文献信息
篇名
一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
延迟锁相环
电荷泵
SET加固
锁定检测结构
年,卷(期)
2017,(9)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
77-81
页数
5页
分类号
TN432
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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G指数
1
李海松
9
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吴龙胜
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3
韩本光
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曹天骄
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研究主题发展历程
节点文献
延迟锁相环
电荷泵
SET加固
锁定检测结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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