原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
针对延迟锁相环的结构和对单粒子效应敏感性的分析,提出了一种具有锁定检测结构的新型抗SET加固DLL结构,该结构能在满足原有DLL性能指标的前提下实现对SET效应的加固,保证DLL正交四相时钟的正确输出.基于65 nm CMOS工艺进行电路设计仿真,结果显示在500 MHz工作频率下,此DLL功能正确,抗SET性能良好,SET阈值达到100 MeV·cm2/mg,在空间辐射环境中具有很好的稳定性.
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文献信息
篇名 一种具有锁定检测结构的新型抗SET效应DLL设计技术
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 延迟锁相环 电荷泵 SET加固 锁定检测结构
年,卷(期) 2017,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 77-81
页数 5页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李海松 9 106 3.0 9.0
2 吴龙胜 50 120 6.0 8.0
3 韩本光 7 14 2.0 3.0
4 曹天骄 2 5 1.0 2.0
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延迟锁相环
电荷泵
SET加固
锁定检测结构
研究起点
研究来源
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
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