二维过渡金属二硫化物中自旋能谷耦合的谷电子学

• 作者: 刘雪峰 孙栋 马骏超
• 来源期刊: 物理
• 关键词: 能谷自由度 二维材料 过渡族硫化物 自旋轨道耦合 圆偏振 自旋注入
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 自旋电子学专题
• 页码范围: 299-306
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7693/wl20170504

摘要

电子的电荷自由度与自旋自由度是现代电子器件的基础核心之一.随着二维材料,尤其是二维过渡族硫化物(TMDCs)的研究深入,另一个自由度——能谷——也引起了人们极大的研究兴趣.由于TMDCs中自旋与能谷的强耦合,自旋(能谷)可以通过能谷(自旋)方便地进行调控和探测,为电子自旋和能谷的相关领域提供了新的手段和方法.文章首先对能谷自由度以及TMDCs中自旋与能谷的强耦合进行了介绍,然后介绍基于圆偏振光激发和自旋注入两种方式进行的自旋调控和探测的理论和实验工作,最后对基于能谷的自旋调控进行了总结和展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘雪峰	北京大学物理学院量子材料科学中心	6	244	5.0	6.0
5	马骏超	北京大学物理学院量子材料科学中心	1	7	1.0	1.0
9	孙栋	北京大学物理学院量子材料科学中心	1	7	1.0	1.0