GaSb基VCSEL刻蚀工艺研究

• 作者: 岳光礼 张家斌 张昕 李杨 李洋 王志伟 王霞 谢检来 郝永芹
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: GaSb 垂直腔面发射激光器 腐蚀速率 表面形貌 酒石酸
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 光电进展
• 页码范围: 1225-1229
• 页数: 5页
• 分类号: TN248
• 字数: 2678字
• 语种: 中文

摘要

2μm~5μm波段GaSb基VCSEL对大气检测技术有着重要的应用,但制备技术的不成熟严重制约着GaSb基VCSEL的发展.刻蚀工艺中出现的下切效应就是器件制备中存在的突出问题.针对上述问题,选择三种不同成分的磷酸系刻蚀液进行了对比性刻蚀实验,并通过台阶仪、扫描电子显微镜(SEM)测试观察了刻蚀速率和表面形貌.实验分析表明,浓度配比为1 mL:1 mL:0.6 g:10 mL的H3PO4:H2O2:C4H6O6:H2O刻蚀液具有良好的腐蚀效果,消除了以往腐蚀过程中出现的下切效应,且垂直形貌好,未出现钻蚀现象,晶片表面平整且光滑,且保持稳定的刻蚀速率0.62μm/min,为激光器制备提供了良好的前期实验基础.