物理气相输运法生长AlN六方微晶柱

• 作者: 刘学超 卓世异 孔海宽 忻隽 施尔畏 王华杰 高攀
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体 氮化铝(AlN)晶体 六方微米柱 物理气相输运(PVT)
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 215-218
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 564字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160250

摘要

采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700 ～ 1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200 ～ 400μm,光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明:AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌,台阶宽度为2～4μm,高度在几个纳米;拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量.PVT法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢,Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长,进而沿着〈0001〉方向形成柱状结构.AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充,通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究,有望在微型光电器件领域表现出应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施尔畏	中国科学院上海硅酸盐研究所	71	1736	25.0	41.0
2	高攀	中国科学院上海硅酸盐研究所	13	238	4.0	13.0
3	王华杰	中国科学院上海硅酸盐研究所	1	0	0.0	0.0
7	刘学超	中国科学院上海硅酸盐研究所	13	94	4.0	9.0
8	孔海宽	中国科学院上海硅酸盐研究所	5	8	2.0	2.0
9	忻隽	中国科学院上海硅酸盐研究所	7	21	2.0	4.0
10	卓世异	中国科学院上海硅酸盐研究所	5	13	2.0	3.0