组分渐变过渡层对氮化镓基发光二极管性能的影响

• 作者: 丁楚伟 张智超 王皓宁 钟志有 顾锦华 龙浩
• 来源期刊: 中南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 氮化镓 多量子阱 效率衰减
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息科学
• 页码范围: 71-75
• 页数: 5页
• 分类号: TN311|TN383
• 字数: 2345字
• 语种: 中文

摘要

针对半导体发光二极管(LED)中普遍存在的效率衰减效应严重影响大注入电流条件下LED发光性能的问题,在传统InGaN/GaN多量子阱LED基础上,设计了组分渐变过渡层结构,引入到量子垒和电子阻挡层界面.模拟计算结果表明:当引入过渡层后,量子垒和电子阻挡层界面处的电子势阱深度和空穴势垒高度减小,有益于有源区载流子浓度的提高,有效提升了量子阱内辐射复合速率,使发光效率衰减现象得到显著改善.研究结果对大功率发光二极管的结构设计和器件研发具有启发作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0
2	顾锦华	中南民族大学实验教学与实验室管理中心	33	183	9.0	12.0
3	龙浩	中南民族大学电子信息工程学院	22	53	5.0	7.0
4	王皓宁	中南民族大学电子信息工程学院	10	30	3.0	5.0
5	张智超	中南民族大学电子信息工程学院	1	11	1.0	1.0
6	丁楚伟		1	11	1.0	1.0