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摘要:
用原子力显微镜等方法研究了在InSb (001)衬底和(001)偏(111)B面2 °衬底上分子束外延生长的同质外延薄膜和掺Al薄膜样品表面的微观形貌.对比了不同衬底同质外延时生长模式的差异,并观察了加入Al后引入的交叉影线,分析了其产生的原因.研究表明,使用有偏角的衬底更有利于减少分子束外延薄膜的表面缺陷.
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文献信息
篇名 分子束外延InSb薄膜材料的表面微观形貌研究
来源期刊 红外 学科 工学
关键词 InSb薄膜材料 原子力显微镜 微观形貌 衬底偏角
年,卷(期) 2017,(2) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 7-10
页数 4页 分类号 TN2
字数 2466字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-8785.2017.02.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘铭 41 93 5.0 8.0
2 周朋 21 20 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
InSb薄膜材料
原子力显微镜
微观形貌
衬底偏角
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外
月刊
1672-8785
31-1304/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-290
1980
chi
出版文献量(篇)
3030
总下载数(次)
11
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