Al/MoO3薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响

• 作者: 叶迎华 官震 朱朋 沈瑞琪
• 来源期刊: 爆破器材
• 学科: 工学
• 关键词: 含能材料 Al/MoO3纳米含能复合薄膜 含能半导体桥 发火特性
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TJ55|TJ450
• 字数: 3279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8352.2017.04.001

摘要

使用微细加工技术在半导体桥上分别集成3μm和6 μm厚度的Al/MoO3纳米含能复合薄膜,制备成含能半导体桥,并使用电容放电的激发方式,研究薄膜厚度对含能半导体桥发火特性的影响.研究发现,随着薄膜厚度的增加,含能半导体桥的临界发火时间和临界发火能量无显著性变化,电容放电的作用总时间、作用总能量和能量利用效率降低,能量输出效率显著增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶迎华	南京理工大学化工学院	123	751	15.0	19.0
2	沈瑞琪	南京理工大学化工学院	171	1017	16.0	20.0
3	朱朋	南京理工大学化工学院	30	147	7.0	10.0
4	官震	南京理工大学化工学院	2	6	2.0	2.0