抗辐射0.18μm NMOS器件热载流子效应研究

• 作者: 吴建伟 张庆东 洪根深 纪旭明 谢儒彬
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射加固 总剂量效应 热载流子效应 0.18 μm
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 30-33,48
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 3534字
• 语种: 中文

摘要

基于0.18 μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8VNMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态漏电流无明显变化.研究器件的热载流子效应,采用体电流Isub/漏电流Id模型评估器件的HCI寿命,寿命达到5.75年,满足在1.1 Vdd电压下工作寿命大于0.2年的规范要求.探索总剂量辐射效应与热载流子效应的耦合作用,对比辐照与非辐照器件的热载流子损伤,器件经辐照并退火后,受到的热载流子影响变弱.评估加固工艺对器件HCI可靠性的影响,结果表明场区总剂量加固工艺并不会造成热载流子损伤加剧的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	吴建伟		25	39	4.0	4.0
3	纪旭明		4	1	1.0	1.0
4	谢儒彬		9	22	3.0	4.0
5	张庆东		2	1	1.0	1.0