新型Cu/Ti/SiO2碱性精抛液对TSV碟形坑和塌边的修正

• 作者: 刘俊杰 刘玉岭 牛新环 王如
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 化学机械抛光 碟形坑 阻挡层 有机胺碱
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1359-1368
• 页数: 10页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY16080010

摘要

研发了一种无氧化剂无抑制剂的新型碱性TSV精抛液,通过单因素实验确定FA/O I型非离子表面活性剂和有机胺碱的体积分数,以使Cu/Ti/SiO2的去除速率满足选择比.根据表面活性剂的优先吸附理论来降低碟形坑内部反应界面的能量,同时运用大分子有机胺碱的自钝化原理来控制碟形坑的延伸,使用HP&MP&LP工作压力模式来解决通孔边界处的塌边问题.结果表明:当抛光液中FA/O I型非离子表面活性剂和大分子有机胺碱的体积分数分别为3.0%和1.5%时对Cu/Ti/SiO2的选择性最好.用优化后的抛光液在TSV图形片上进行了测试并比较了不同通孔间距下碟形坑的修正能力.台阶仪检测结果显示,优化后的抛光液对碟形坑的修正能力为1500~2000 nm·min-1,且对间距分别为20,40,60和80μm的4种通孔内碟形坑的修正能力均在1500 nm·min-1以上,当HP&MP&LP模式中3个阶段的持续时间分别为总抛光时间的50%,30%和20%时塌边现象得到解决.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	263	1540	17.0	22.0
2	牛新环	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	69	406	10.0	17.0
3	王如	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	44	252	8.0	14.0
4	刘俊杰	河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室	12	36	3.0	5.0