退火条件对Sn掺杂ZnO薄膜光电性能的影响

• 作者: 刘涛 蒋显武 赵小如
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 溶胶-凝胶 Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜 退火条件 光电性能
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2016.000914

摘要

采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备Sn掺杂ZnO薄膜(SZO薄膜).研究空气退火、低真空退火、高真空退火、氮气退火、三高退火、循环退火6种不同退火条件对SZO薄膜光电性能的影响.结果表明:6种不同的退火条件制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有c轴择优取向生长的特性.高真空退火下,SZO薄膜的结晶状况和电学性质最优,最低电阻率可达到5.4×10-2Ω·cm.薄膜的可见光区平均透过率均大于85％.薄膜在390nm和440nm附近(325nm光激发下)都出现光致发光峰,在空气、氮气、低真空中退火后薄膜440nm处发光强度最为显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘涛	商洛学院电子信息与电气工程学院	10	33	3.0	5.0
2	赵小如	西北工业大学理学院	8	67	5.0	8.0
3	蒋显武	西北工业大学理学院	1	3	1.0	1.0