图形化蓝宝石衬底形貌对GaN基LED出光性能的影响

• 作者: 曹增波 李晓波 杨私私 王静辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 图形化蓝宝石衬底(PSS) 衬底形貌 GaN基LED 光通量 出光性能
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 347-351
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23|TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.05.005

摘要

近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用.通过干法刻蚀和湿法腐蚀制备了不同规格和形状的蓝宝石衬底图形,并进行外延生长、芯片制备和封装验证,采用扫描电子显微镜(SEM)和3D轮廓仪进行形貌表征,研究了不同规格和形状的衬底图形对LED芯片出光性能影响,并与外购锥形衬底(PSSZ2)进行对比.结果表明,在20 mA工作电流下,PSSZ2的LED光通量为8.33 lm.采用类三角锥和盾形衬底的LED光通量分别为7.83 lm和7.67 lm,分别比PSSZ2衬底低6.00％和7.92％.对锥形形貌进行优化,采用高1.69 μm、直径2.62 μm、间距0.42 μm的锥形衬底(PSSZ3)的LED光通量为8.67 lm,比PSSZ2衬底高4.08％,优化的PSSZ3能有效地提高LED出光性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王静辉		3	8	2.0	2.0
2	李晓波		4	8	2.0	2.0
3	杨私私		1	4	1.0	1.0
4	曹增波		1	4	1.0	1.0