椭圆柱纳磁体全自旋逻辑器件开关特性

• 作者: 刘保军 危波 崔焕卿 李成 王森 蔡理
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 全自旋逻辑(ASL)器件 纳磁体形状 退磁因子 临界开关电流 开关特性
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 801-807
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.7|TN321.5|O411.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.12.001

摘要

基于自旋传输和磁动力学耦合模型,研究了纳磁体形状对全自旋逻辑(ASL)器件临界开关电流以及开关延迟时间和功耗的影响.仿真结果显示,由于椭圆柱纳磁体构成的ASL器件易磁化轴方向退磁因子相比长方体纳磁体器件要小,所以其形状各向异性能和临界开关电流更小.从而在相同的注入电流情况下,椭圆柱纳磁体构成的ASL器件磁矩翻转时间比长方体纳磁体更短,所以椭圆柱纳磁体开关延迟时间和功耗均小于长方体纳磁体构成的ASL器件.上述结论为合理选择纳磁体形状提供了理论依据,所得结果对ASL器件的设计及应用具有重要的意义,为优化ASL器件开关延迟时间和功耗提供了一种新的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保军	空军工程大学第一航空学院	24	50	5.0	5.0
2	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
3	王森	空军工程大学理学院	55	224	9.0	12.0
4	李成	空军工程大学理学院	23	112	5.0	9.0
5	崔焕卿	空军工程大学理学院	13	13	2.0	3.0
6	危波	空军工程大学理学院	8	3	1.0	1.0