ICP-MS检测多晶硅基体中痕量元素分析的影响因素与控制措施

• 作者: 张啸虎 张园园 杨雪
• 来源期刊: 现代测量与实验室管理
• 学科: 化学
• 关键词: 高纯多晶硅 痕量元素 控制措施
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 计量测试
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: O657.63
• 字数: 3343字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16428/j.cnki.cn10-1469/tb.2017.04.011

摘要

高纯多晶硅中的痕量杂质能够影响多晶硅的少子寿命,影响多晶硅的光学电学性能,所以,检测控制多晶硅中痕量杂质是保证多晶硅质量的重要指标.为保证高纯多晶硅中痕量元素的检测准确性,对实验过程中涉及到的水、容器、温湿度等因素进行研究,以确定这些因素的影响.结果表明:使用聚四氟乙烯材质的容器能够降低空白值,使用Milli-Q制水机制出的超纯水中的杂质比厂区生产的纯水低等.同时,对实验容器的清洗,溶剂的选择,人员的优化提出了相应的控制措施,确保所用的器皿、试剂等不受污染,尽量减小空白值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨雪		1	2	1.0	1.0
2	张啸虎		1	2	1.0	1.0
3	张园园		1	2	1.0	1.0