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摘要:
高纯多晶硅中的痕量杂质能够影响多晶硅的少子寿命,影响多晶硅的光学电学性能,所以,检测控制多晶硅中痕量杂质是保证多晶硅质量的重要指标.为保证高纯多晶硅中痕量元素的检测准确性,对实验过程中涉及到的水、容器、温湿度等因素进行研究,以确定这些因素的影响.结果表明:使用聚四氟乙烯材质的容器能够降低空白值,使用Milli-Q制水机制出的超纯水中的杂质比厂区生产的纯水低等.同时,对实验容器的清洗,溶剂的选择,人员的优化提出了相应的控制措施,确保所用的器皿、试剂等不受污染,尽量减小空白值.
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文献信息
篇名 ICP-MS检测多晶硅基体中痕量元素分析的影响因素与控制措施
来源期刊 现代测量与实验室管理 学科 化学
关键词 高纯多晶硅 痕量元素 控制措施
年,卷(期) 2017,(4) 所属期刊栏目 计量测试
研究方向 页码范围 34-36
页数 3页 分类号 O657.63
字数 3343字 语种 中文
DOI 10.16428/j.cnki.cn10-1469/tb.2017.04.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨雪 1 2 1.0 1.0
2 张啸虎 1 2 1.0 1.0
3 张园园 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
高纯多晶硅
痕量元素
控制措施
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国检验检测
双月刊
1673-8764
10-1469/TB
大16开
北京市北三环东路18号
82-615
1993
chi
出版文献量(篇)
2964
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11
总被引数(次)
6960
论文1v1指导