1H-MRS技术及其在微波辐射致学习和记忆损伤中的应用

• 作者: 彭瑞云 李春舫 王浩宇 马林
• 来源期刊: 军事医学
• 学科: 医学
• 关键词: 质子 磁共振波谱学 微波 辐射损伤 学习和记忆
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 934-937
• 页数: 4页
• 分类号: R338.64
• 字数: 4216字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7644/j.issn.1674-9960.2017.11.014

摘要

脑是各种神经功能得以实现的基础.学习和记忆是脑最基本也是最重要的高级神经功能之一.研究表明,微波辐射能导致学习和记忆功能的损伤.利用质子磁共振波谱(proton magnetic resonance spectroscopy,1H-MRS)技术,能无创、在体地检测和分析影响神经系统功能的化学物质及其代谢物浓度,从而为深入探索微波辐射致学习和记忆功能损伤的机制奠定基础.该文就目前检索到的文献,从微波辐射致学习和记忆功能损伤、1 H-MRS技术及其在学习和记忆相关研究中的应用,以及1 H-MRS技术在微波辐射致学习和记忆功能损伤研究中的应用进行综述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马林	解放军总医院放射诊断科	248	1865	21.0	31.0
2	彭瑞云	军事科学院军事医学研究院辐射医学研究所	2	2	1.0	1.0
3	李春舫	军事科学院军事医学研究院辐射医学研究所	1	0	0.0	0.0
7	王浩宇	军事科学院军事医学研究院辐射医学研究所	1	0	0.0	0.0