SiC MOSFET特性分析及驱动电路研究

• 作者: 张卫平 毛鹏 缠潇潇
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物半导体场效应晶体管 驱动电路 串扰
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用专辑
• 页码范围: 24-27,67
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

对比碳化硅(SiC)与硅(Si)的材料特性差异,分析基于不同材料金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电气特性,仿真得到其开关轨迹.提出一种有关驱动电阻对于开关过程影响的分析模型.论述研究了将SiCMOSFET应用于单管功率变换器、桥式功率变换器及双管正激变换器等典型电路时适用的驱动电路,针对桥式电路中存在的串扰问题进行了分析,使用LTSpice软件对4种优化后的驱动电路进行仿真并比较其优缺点,提出几点关于驱动电路的布局技巧.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张卫平		53	331	9.0	17.0
2	毛鹏		6	4	1.0	2.0
3	缠潇潇		1	0	0.0	0.0