退火工艺对可控硅辐照效应的影响

• 作者: 岳巍 李兆龙 王华明 章月红 谢裕颖 陈祖良
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单向可控硅 电子辐照 触发电流 少子寿命 退火工艺
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 页码范围: 148-152
• 页数: 5页
• 分类号: TN34
• 字数: 3664字
• 语种: 中文

摘要

应用1.4 MeV电子束对单向可控硅晶圆芯片进行固定注量率辐照，通过触发电流和少子寿命表征辐照效应，研究了退火工艺对辐照效应的影响。结果表明：电子辐照缩短单向可控硅少子寿命，增大触发电流。经350℃退火后触发电流恢复到辐照前水平，少子寿命虽有一定恢复，但远比辐照前短。在试验的注量范围内k系数为常数，退火后k系数与注量相关，小注量时较小。常温存放对辐照效应有较大影响，长时间存放不利于200℃退火而有利于300℃退火。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈祖良		10	14	2.0	3.0
2	李兆龙		11	20	3.0	3.0
3	谢裕颖		11	20	3.0	3.0
4	王华明		7	5	1.0	1.0
5	章月红		13	52	4.0	6.0
6	岳巍		5	24	3.0	4.0