γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应

• 作者: 何徽 倪晨 刘小林 刘波 刘金良 李泽仁 李锋锐 欧阳晓平 温伟峰 畅里华 陈亮 顾牡 黄世明
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: γ-CuI晶体 超快闪烁体 衰减时间 能量响应
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 163-168
• 页数: 6页
• 分类号: O734
• 字数: 2915字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20160262

摘要

采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex＜49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.